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Features
■ Low capacitance - 0.3 pF
■ ESD protection
■ Vcc + six I/O data lines
■ RoHS compliant*
Applications
■ USB 3.0
■ HDMI 1.4
■ High speed port protection
■ Portable electronics
CDDFN10-0506N - TVS/Steering Diode Array
General Information
The Bourns ? Model CDDFN10-0506N device provides ESD and
EFT protection for high speed data ports meeting IEC 61000-4-2
(ESD) and IEC 61000-4-4 (EFT) requirements. The Transient
Voltage Suppressor array, protecting up to six data lines, offers a
2
Working Peak Voltage of 5.0 V.
1
4
5
6
7
10
The DFN-10 package is easy to handle with standard pick and
place equipment and their ?at con?guration minimizes roll away.
Absolute Maximum Ratings, T A = 25 °C (Unless Otherwise Noted)
9
Parameter
Peak Pulse Current (t p = 8/20 μS)
Peak Pulse Current (t p = 8/20 μS)
Operating Supply Votage (V dd - Gnd)
DC Voltage on any I/O Pad
Storage Temperature
Operating Temperature
Symbol
I pp
P pk
V DC
V IO
T STG
T OPR
Rating
3.5
40
6
(Gnd -0.5) to (V dd +0.5)
-55 to +150
-40 to +85
Unit
A
W
V
V
oC
oC
Electrical Characteristics (@ T A = 25 °C Unless Otherwise Noted)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Working Peak Voltage 1
Breakdown Voltage @ 1 mA 1
V WM
V BR
6.0
5.0
V
V
Forward Voltage @ 15 mA 2
Leakage Current @ V WM 1
Leakage Current @ V WM 3
Channel Capacitance 3 @ 2.5 V, 1 MHz
Channel to Channel Capacitance 4
@ 2.5 V, 1 MHz
V F
I L
I IO
C IO
C CROSS
0.8
0.25
0.05
1.2
2.5
1
0.35
0.07
V
μ A
μ A
pF
pF
ESD Protection per IEC 61000-4-2
Contact Discharge
Air Discharge
±8
±15
kV
kV
ESD Dynamic Turn-on Resistance 5
ESD Dynamic Turn-on Resistance 6
EFT Protection per IEC 61000-4-4 @ 5/50 ns
R dynamic_I/O
R dynamic_VDD
40
0.35
0.2
Ω
Ω
A
Note 1: Pin 2 to Pin 9
Note 2: Pin 9 to Pin 2.
Note 3: Pin 1, 4, 5, 6, 7 or 10 to Ground.
Note 4: Between I/O 1, 4, 5, 6, 7 or 10.
Note 5: Any I/O Pin to Ground.
Note 6: V DD Pin to Ground.
*RoHS Directive 2002/95/EC Jan. 27, 2003 including annex and RoHS Recast 2011/65/EU June 8, 2011.
Speci?cations are subject to change without notice.
Customers should verify actual device performance in their speci?c applications.
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